英特尔试图重铸昔日荣光:20A、18A 工艺瞄准 2024 年
叶紫网 12 月 6 日消息,在近日的 IEDM 2022(2022 IEEE 国际电子器件会议)上,英特尔发布了许多突破性的研究成果,并给出了最新的路线图,强调公司保持快速步伐,不仅要保持正轨,还要加快交货时间。
根据英特尔的术语,后纳米时代的切入点是埃米他们将低于 2 纳米工艺节点命名为 20A 和 18A,并将以此开始 / 首批采用 ASML 的 High NA EUV 设备(可能是 18A)。
简单来说,英特尔 20 A 工艺计划在 2024 年上半年进入风险试产阶段,而 18A 工艺将在 2024 年下半年准备就绪。
此外,英特尔还确认其即将推出的 Intel4 工艺已准备好生产。
值得注意的是,公司提到节点“准备生产”的流程与他们预计流程处于风险生产状态的时间线相对应。这意味着 Intel 4 现在处于风险试产状态。
也就是说,这可能意味着下一代 Meteor Lake 不会像一些小道爆料所说的那样推迟到 2024 年,它将在 2023 年的某个时候到来。
▲ 图源英特尔,via:wccftech
该公司还透露,18A 工艺计划在 2024 年 2 月进入风险试产阶段。
此外,英特尔还确认其 20A 工艺将同时引入 RibbonFET 和 PowerVias 技术。
叶紫网科普:RibbonFET 是一种环栅或纳米晶体管结构,有望像 FinFET 一样延长摩尔定律,而 PowerVia 则是一种后端电源传输技术,两者结合的话必然会带来相当大的技术创新。
英特尔技术开发总经理 Ann B Kelleher 表示:
“摩尔定律是关于功能创新的整合,当我们展望未来 10 到 20 年的时候,会有一条充满创新的路途。”
当被问及在 20A 工艺上向 RibbonFET 和 PowerVias 技术过渡的问题,以及考虑到该公司在 10nm 工艺上的失误所带来的潜在风险时,Ann Kelleher 表示:
“这些并不需要立即完成,但我们看到了转移到 PowerVia 以启用 RibbonFET 技术的显著优势,.... 这一直非常成功,使我们能够加快我们的开发工作。”
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